탄화규소(SiC)는 전기 전도성이지만 전도성은 도핑 및 SiC의 특정 형태에 따라 달라질 수 있습니다. SiC는 반도체이므로 결정 구조에 불순물(도핑)을 도입하여 전기 전도도를 제어할 수 있습니다.
n형 및 p형과 같은 다양한 유형의 SiC 결정이 있습니다.
N형 SiC: 인이나 질소 등의 원소를 도핑하면 여분의 전자가 유입되어 전도성이 향상됩니다.
P형 SiC: 알루미늄이나 붕소와 같은 원소를 도핑하면 전기 전도성에도 기여하는 "정공"(양전하 캐리어)이 생성될 수 있습니다.
